担任《中国科学：信息科学》副主编、《IEEE Transactions on Electron Devices》
长期从事半导体新器件新工艺研究。面向不同电路系统要求和不同集成电路技术代，提出并研制出了准SOI新结构器件、BOI FinFET新结构器件、肖特基-隧穿混合控制新机理器件以及逻辑-存储可融合兼容的新型器件；提出了可大规模集成的围栅纳米线器件新工艺方法，系统揭示了器件关键特性的新变化及其物理根源；建立了纳米尺度器件特性表征体系，提出了新的涨落性/可靠性分析表征方法及模型。部分成果转移到国内外著名IC公司。在微电子器件领域标志性国际会议IEDM、VLSI和标志性期刊EDL、TED上发表70余篇论文（自2007年以来连续10年在IEDM上发表论文25篇）；多项研究成果连续3次被列入国际半导体技术发展路线图ITRS；应邀做国际会议大会和特邀报告30余次；获150余项授权发明专利（其中授权美国专利45项）。曾获国家技术发明二等奖、国家科技进步二等奖、教育部自然科学一等奖、教育部科技进步一等奖、北京市科学技术一等奖（2次）、中国青年科技奖等多项国家和省部级奖励。担任国家基金委创新研究群体学术带头人，入选教育部长江特聘教授、国家杰青、国家百千万人才工程国家级人选等。
编委、《Nanotechnology》编委；“十二五”国家863专家组成员、信息产业科技发展“十一五”计划和2020年中长期规划编制专家组专家；被选为IEEE EDS elected Adcom委员等；任国际会议主席13次、国际会议TPC委员数十次。
